7月19日，國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項“大尺寸氧化鎵半導體材料與高性能器件研究”項目2024年度年中交流會在杭州光學精密機械研究所(以下簡稱“杭州光機所”)召開。國家自然科學基金委員會高技術中心原副主任卞曙光，張龍副所長，重點研發(fā)計劃項目負責人齊紅基研究員，中國科學院上海硅酸鹽研究所科技產(chǎn)業(yè)處副處長吳永慶，以及相關領域?qū)＜?、項目成員等20余人出席了會議。

會上，張龍代表項目承擔單位致歡迎辭，并指出近一年來該項目取得了一定進展，期待各位專家能給項目組提出更多寶貴的建議，開展更廣泛的交流合作。

齊紅基研究員就項目中期總體進展情況進行匯報。他表示自項目立項以來，項目組建立共振摻雜機制模型，在氧化鎵單晶制備及工程化、p-型氧化鎵研究及氧化鎵功率器件、氧化鎵射頻器件等方面取得一系列標志性成果，逐漸形成研究閉環(huán)。

各子課題負責人分別匯報工作進展，與會專家從技術本身、未來應用場景以及項目團隊之間的交流合作方面提出了建議。

吳永慶作“關于標準引領，搶占科技制高點，發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力”的報告，他指出應積極推動科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新融合發(fā)展，不斷提高科技成果轉(zhuǎn)化和標準化水平，以標準化助力打造新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展引擎，以核心技術標準為抓手，占領科技制高點、掌握話語權。

卞曙光總結發(fā)言，他肯定了項目總體進展及全鏈條工作部署。他強調(diào)，氧化鎵材料及其未來技術發(fā)展趨勢，已經(jīng)得到國家及地方政府的廣泛認可，項目團隊要聚焦行業(yè)難點、痛點，解決材料生長技術“卡脖子”問題；要對標國際，培養(yǎng)進入國際標準的專業(yè)化人才，搶占戰(zhàn)略制高點;要加強開放、合作、共享，建立知識產(chǎn)權共享的機制，并找準合適的應用場景，獲取更大的發(fā)展。

該項目由中國科學院上海光學精密機械研究所牽頭，聯(lián)合廈門大學、吉林大學、中國電子科技集團公司第五十五研究所、北京中材人工晶體研究院有限公司、復旦大學、電子科技大學、杭州光機所、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司多家單位協(xié)同攻關。項目面向發(fā)展氧化鎵基日盲紫外探測及功率電子器件的迫切需求，以解決氧化鎵單晶襯底和外延薄膜缺陷與摻雜機制，微觀電子結構、薄膜物性和器件性能構效關系等關鍵科學問題為基礎，突破6英寸單晶熱場設計、高質(zhì)量外延膜生長、器件核心結構設計等關鍵技術，研制出新一代高性能氧化鎵基功率及探測器件。